ОМИКРОН ОМИКРОН ОМИКРОН

Термины и определения » Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод - двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "П. д." объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов. В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ (в т. ч. видеодетекторы, смесительные, параметрические, усилительные и генераторные, умножительные, переключательные). Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.

Термины и определения » Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы - полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. В полупроводниковой электронике используют главным образом кристаллические П. м. Большинство из них имеет кристаллическую структуру с тетраэдрической координацией атомов, характерной для структуры алмаза.

Термины и определения » Полевой транзистор

Полевой транзистор

канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы называются униполярными (в отличие от биполярных). По физической структуре и механизму работы П. т. условно делят на 2 группы. Первую образуют П. т. с управляющим р—n-переходом (см. Электронно-дырочный переход) или переходом металл — полупроводник (т. н. барьером Шотки, см. Шотки эффект), вторую — П. т. с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик — полупроводник). В последних в качестве диэлектрика используют окисел кремния (МОП-транзистор) или слоистые структуры, например SiO2 — Al2O3 (МАОП-транзистор), SiO2 — Si3N4(МНОП-транзистор) и др. К П. т. с изолированным затвором относят также П. т. с т. н. плавающим затвором и П. т. с накоплением заряда в изолированном затворе (их применяют как элементы электронной памяти). В П. т. в качестве полупроводника используют в основном Si и GaAs, в качестве металлов, образующих переход, — Al, Mo, Au. П. т. созданы в 50—70-е гг. 20 в. на основе работ американских учёных У. Шокли, С. Мида, Д. Канга, М. Аталлы и др.

Термины и определения » Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический полупроводниковый диод - полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C0 и постоянную времени диода ts = rs • C0, где rs — суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения Uдоп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C0=0,01— 2 пф,ts = 0,1—2 nceк, Uдоп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.

Термины и определения » Оптрон

Оптрон

прибор, состоящий из излучателя света и фотоприёмника, связанных друг с другом оптически и помещенных в общем корпусе. Иногда О. называют также пару "излучатель-фотоприёмник" с любыми видами оптической и электрической связи между ними. О. используют для связи отдельных частей радиоэлектронных устройств (главным образом вычислительной и измерительной техники и автоматики), при которой одновременно обеспечивается электрическая развязка между ними (как в трансформаторе), а также для бесконтактного управления электрическими цепями (аналогично реле). Разработка О. началась в 60-е гг. 20 в.

Термины и определения » Лавинно-пролётный полупроводниковый диод

Лавинно-пролётный полупроводниковый диод

полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.

Термины и определения » Диод

Диод

[от ди... и (электр)од], двухэлектродный электровакуумный, ионный (газоразрядный) или полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока. Электровакуумные и ионные Д. имеют электроды: катод (источник электронов) с прямым или косвенным подогревом и анод (приёмник электронов). При положительном напряжении на аноде в электровакуумном Д. проходит электронный ток между его электродами, в газонаполненном Д., содержащем при пониженном давлении инертный газ, водород или пары ртути, возникают электронный и ионный токи. При отрицательном напряжении на аноде в этих Д. тока нет (см. Электровакуумный диод, Газотрон). В полупроводниковом Д. односторонняя проводимость возникает вследствие создания электронно-дырочного перехода в полупроводнике или в контакте металл-полупроводник (см. Полупроводниковый диод). Д. применяют в радиотехнике, электронике, энергетике и др. областях техники главным образом для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования и умножения частоты, переключения электрических цепей.

Термины и определения » Варикап

Варикап

Варикап - [англ. varicap, от vari (able) — переменный и cap (acity) — ёмкость], конденсатор в виде полупроводникового диода, ёмкость которого нелинейно зависит от приложенного к нему электрического напряжения. Эта ёмкость представляет собой барьерную ёмкость электронно-дырочного перехода и изменяется от единиц до сотен пф (у отдельных В. практически в 3—4 раза) при изменении обратного (отрицательного знака) напряжения на несколько десятков вольт. В. обладает высокой добротностью (малыми потерями электрической энергии), малым температурным коэффициентом ёмкости, независимостью от частоты практически во всём диапазоне радиочастот, стабильностью параметров во времени.

Термины и определения » Варистор

Варистор

[англ. varistor, от vari (able) — переменный и (resi) stor — резистор], полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется не линейно и одинаково под действием как положительного, так и отрицательного напряжения. Для изготовления В. применяют порошкообразный карбид кремния (полупроводник) и связующее вещество (глину, жидкое стекло, лаки, смолы и др.), которые запрессовывают в форму и спекают в ней при температуре около 1700° С. Затем поверхность образца металлизируют и припаивают к ней выводы.

Новости » Справочник по полупроводникам 24 Ноябрь, 2007

Уважаемые посетители, к Вашему вниманию предлагаем справочник по полупроводникам, который может стать хорошим помощником в работе и не только.....

Вверх страницы