Шоттки диод, диод с барьером Шотки, полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области этого перехода), возникает потенциальный барьер (см. также Шотки барьер),изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Фотодиод - полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

[от лат. stabilis — устойчивый, постоянный и (элек) трон], двухэлектродный газоразрядный или полупроводниковый прибор, напряжение на котором при изменении (в определённых пределах) протекающего в нём тока изменяется незначительно. С. применяют для поддержания постоянства напряжения на заданном участке электрической цепи, например в стабилизаторах напряжения (см. Стабилизатор электрический) — параметрических (рис. 1) либо компенсационных (в качестве опорного элемента), в импульсных устройствах, ограничителях уровня напряжения и т.д. Коэффициент стабилизации напряжения К, характеризующий относительное изменение напряжений на входе и выходе участка цепи [К = (DUвх/Uвх): (DUвых/Uвых)], определяется видом вольтамперной характеристики С. (рис. 2) и величиной сопротивления балластного резистора Rб; чем характеристика положе, тем сильнее стабилизирующий эффект.

Полупроводниковый стабилитрон - полупроводниковый диод, на выводах которого напряжение остаётся почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нём электрического тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики П. с. находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р—n-перехода. При напряжениях пробоя U_np <5 в механизм резкого возрастания тока (пробой) связан с туннельным эффектом, а при U_np > 6,5 в — с лавинным умножением носителей заряда; при промежуточных напряжениях генерируемые первоначально (вследствие туннельного эффекта) носители заряда создают условия для управляемого лавинного пробоя. В СССР выпускаются (1975) кремниевые П. с. на различные номинальные напряжения стабилизации в диапазоне от 3 до 180 в. П. с. применяют главным образом для стабилизации напряжения и ограничения амплитуды импульсов, в качестве источника опорного напряжения, в потенциометрических устройствах.

Полупроводниковый диод - двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "П. д." объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов. В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ (в т. ч. видеодетекторы, смесительные, параметрические, усилительные и генераторные, умножительные, переключательные). Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.

полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.

Кенотрон - (от греч. kenos — пустой и электрон), электровакуумный диод, предназначенный для выпрямления переменного тока главным образом промышленной частоты. Его применяют в выпрямителях радиоприёмной, усилительной и измерительной аппаратуры, рентгеновских установок и т. д. Низковольтные К. (допустимое обратное напряжение на аноде до 2 кв, допустимая сила прямого тока до нескольких ампер) имеют оксидные прямонакальные или подогревные катоды, черненные или матированные ребристые аноды (чаще два). Высоковольтные К. (напряжение до 100 кв,сила тока до 500 ма) имеют оксидный или карбидированный катод и также чернёный ребристый анод (один). С развитием полупроводниковой техники низковольтные К. постепенно вытесняются полупроводниковыми диодами.

[от ди... и (электр)од], двухэлектродный электровакуумный, ионный (газоразрядный) или полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока. Электровакуумные и ионные Д. имеют электроды: катод (источник электронов) с прямым или косвенным подогревом и анод (приёмник электронов). При положительном напряжении на аноде в электровакуумном Д. проходит электронный ток между его электродами, в газонаполненном Д., содержащем при пониженном давлении инертный газ, водород или пары ртути, возникают электронный и ионный токи. При отрицательном напряжении на аноде в этих Д. тока нет (см. Электровакуумный диод, Газотрон). В полупроводниковом Д. односторонняя проводимость возникает вследствие создания электронно-дырочного перехода в полупроводнике или в контакте металл-полупроводник (см. Полупроводниковый диод). Д. применяют в радиотехнике, электронике, энергетике и др. областях техники главным образом для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования и умножения частоты, переключения электрических цепей.