ОМИКРОН ОМИКРОН ОМИКРОН
А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
0-9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z

Фотоэлемент

Фотоэлемент

электронный прибор, в котором в результате поглощения энергии падающего на него оптического излучения генерируется эдс (фотоэдс) или электрический ток (фототок). Действие Ф. основывается на фотоэлектронной эмиссии или фотоэффекте внутреннем.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия

внешний фотоэффект, испускание электронов твёрдыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов) в вакуум или др. среды. Практическое значение в большинстве случаев имеет Ф. э. из твёрдых тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) в вакуум. Основные закономерности Ф. э. состоят в следующем: 1) количество испускаемых электронов пропорционально интенсивности излучения; 2) для каждого вещества при определенном состоянии его поверхности и температуре Т ® 0 К существует порог – минимальная частота w0 (или максимальная длина волны l0) излучения, за которой Ф. э. не возникает; 3) максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов линейно возрастает с частотой излучения и не зависит от его интенсивности.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фотоэлектрический генератор

Фотоэлектрический генератор

устройство, непосредственно преобразующее энергию оптического излучения в электрическую на основе явления фотоэффекта внутреннего в полупроводниках. Преобразуемой энергией является энергия солнечной радиации (см. Солнечная батарея), инфракрасного излучения нагретых тел либо лазерного излучения (в любом диапазоне волн).

Обычно Ф. г. конструктивно выполняют в виде плоской панели, собранной из отдельных фотоэлементов, причём толщина полупроводника не превышает 0,2–0,3 мм. Кпд серийно выпускаемых Ф. г. 10–12%, у лучших образцов он достигает 15–18%. Ф. г. способны преобразовывать энергию излучения сверхвысокой плотности до нескольких квт/см2. Отдельные элементы Ф. г. могут быть соединены между собой как последовательно, так и параллельно; при этом от генератора можно получать соответственно малые токи при большом напряжении (до нескольких кв) или большие токи (до нескольких сотен а) при малом напряжении.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фототранзистор

Фототранзистор

транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф. представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из Ge или Si, в которой при помощи особых технологических приёмов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причём последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фототиристор

Фототиристор

Фототиристор - тиристор, перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс). В результате через р – n-переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.

Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n-cтруктурой, обычно из кремния, расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n-эмиттером и с освещаемой р-базой.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фоторезистор

Фоторезистор

полупроводниковый прибор, характеризующийся свойством изменять своё электрическое сопротивление под действием оптического излучения (см. Фотопроводимость). Через Ф., включенный в электрическую цепь, содержащую источник постоянного тока, протекает электрический ток. При облучении Ф. ток увеличивается в результате появления фототока, который пропорционален уровню воздействующего сигнала и не зависит от полярности приложенного к Ф. напряжения. Появление фототока (или вызванного им изменения напряжения на Ф.) используется для регистрации излучений (см. Приёмники излучения, Приёмники света, Оптрон).

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фотокатод

Фотокатод

катод электровакуумного прибора, эмиттирующий электроны под действием света (см. Фотоэлектронная эмиссия). Для изготовления Ф. обычно используют вещества на основе соединений элементов I группы периодической системы Менделеева с элементами V или VI группы. Наибольшее распространение получили следующие Ф.: кислородно-серебряно-цезиевые (состоят из Cs2O с примесью свободного Cs и вкраплениями чистого Ag); сурьмяно-цезиевые (Cs3Sb); многощелочные Ф. (состоят из соединений Sb с Cs и Sb с К и Na). Вещество наносят в виде мономолекулярного слоя на металлическую или стеклянную пластинку (подложку). Ф. бывают непрозрачные (они освещаются со стороны вакуума) и полупрозрачные (освещаются со стороны подложки).

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фотодиод

Фотодиод

Фотодиод - полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Ферромагнитный резонанс

Ферромагнитный резонанс

Ферромагнитный резонанс - одна из разновидностей электронного магнитного резонанса; проявляется в избирательном поглощении ферромагнетиком энергии электромагнитного поля при частотах, совпадающих с собственными частотами w0 прецессии магнитных моментов электронной системы ферромагнитного образца во внутреннем эффективном магнитном поле Нэф. Ф. р. в более узком смысле – возбуждение колебаний типа однородной (во всём объёме образца) прецессии вектора намагниченности J (спиновых волн с волновым вектором k =0), вызываемое магнитным СВЧ-полем H^, перпендикулярным постоянному намагничивающему полю H0. Однородный Ф. р., как и электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), может быть обнаружен методами магнитной радиоспектроскопии. Поскольку магнитная СВЧ-восприимчивость (а следовательно, и поглощение) пропорциональна статической магнитной восприимчивости c0 = Js/H0, где Js – намагниченность насыщения ферромагнетика, то при Ф. р. поглощение на несколько порядков больше, чем при ЭПР. Благодаря спонтанной намагниченности ферромагнетика поле Нэф может существенно отличаться от внешнего поля H0 (из-за магнитной анизотропии и размагничивающих эффектов поверхности образца; см. Размагничивающий фактор), обычно Нэф (0 даже при H0 = 0 ("естественный" Ф. р.). Основные характеристики Ф. р. – резонансные частоты, релаксация, форма и ширина линий поглощения, нелинейные эффекты – определяются коллективной многоэлектронной природой ферромагнетизма. Квантовомеханическая теория Ф. р. приводит к тому же выражению для частоты Ф. р. w0, как и классическому рассмотрение w0 = gНэф, где g = gmБ/ – магнитомеханическое отношение, g – фактор спектроскопического расщепления (Ланде множитель), mБ – магнетон Бора, = h/2p – Планка постоянная. Через Нэф частота w0 зависит от формы образца, от ориентации H0 относительно осей симметрии кристалла и от температуры. Наличие доменной структуры в ферромагнетике усложняет Ф. р., приводя к возможности появления нескольких резонансных пиков.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Фарадея число

Фарадея число

Фарадея постоянная (F), одна из фундаментальных физических постоянных, равная произведению Авогадро числа NA на элементарный электрический заряд е (заряд электрона): F = NA (е = (9,648456 ± 0,000027) (104 к моль-1. Ф. ч. широко применяется в электрохимических расчётах. Названо в честь М. Фарадея, открывшего основные законы электролиза.

{tags}
7 Ноябрь, 2008              {commentbig}: {count}              Прочесть статью             
{langrating}: {rating}

Вверх страницы